大直徑高效N型單晶硅的磁控拉晶裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201921105801.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN210341126U | 公開（公告）日 | 2020-04-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN210341126U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-04-17 |
| 分類號(hào) | C30B29/06;C30B30/04;C30B15/00 | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 陳嘉豪;徐文州;耿榮軍;喻先麗 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 樂山新天源太陽能科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 樂山新天源太陽能科技有限公司 |
| 地址 | 614000 四川省樂山市樂山高新區(qū)建業(yè)大道888號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種結(jié)構(gòu)簡單，便于控制磁場強(qiáng)度，并且能避免電阻加熱裝置對(duì)磁場影響的大直徑高效N型單晶硅的磁控拉晶裝置。該大直徑高效N型單晶硅的磁控拉晶裝置，包括爐體；所述爐體上方設(shè)置有上爐腔；所述爐體的爐膛內(nèi)設(shè)置有坩堝、石墨托；石墨托下方設(shè)置有底部旋轉(zhuǎn)支撐桿；所述爐體的爐膛兩側(cè)均設(shè)置有磁場發(fā)生裝置；所述磁場發(fā)生裝置上設(shè)置有U型導(dǎo)磁體；所述U型導(dǎo)磁體一端與磁場發(fā)生裝置連接，另一端延伸到坩堝與加熱裝置之間；所述U型導(dǎo)磁體的外表面上設(shè)置有隔熱層；所述U型導(dǎo)磁體延伸到坩堝與加熱裝置之間的部分設(shè)置有均勻分布的導(dǎo)磁塊。采用該大直徑高效N型單晶硅的磁控拉晶裝置，能夠明顯地改善單晶的均勻性，降低缺陷密度。 |
