二次硅料的高溫熔融裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921108574.5 申請日 -
公開（公告）號 CN210602767U 公開（公告）日 2020-05-22
申請公布號 CN210602767U 申請公布日 2020-05-22
分類號 F27B14/06;F27B14/08;F27B14/14;F27D25/00 分類 爐；窯；烘烤爐；蒸餾爐〔4〕;
發(fā)明人 陳嘉豪;陳磊;陳輝;王倩 申請（專利權(quán)）人 樂山新天源太陽能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 樂山新天源太陽能科技有限公司
地址 614000 四川省樂山市樂山高新區(qū)建業(yè)大道888號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種能夠?qū)崿F(xiàn)二次硅料連續(xù)熔融除雜，提高除雜效率的二次硅料的高溫熔融裝置。該二次硅料的高溫熔融裝置，包括底座以及安裝在底座上的熔融爐體；所述熔融爐體具有內(nèi)腔，所述內(nèi)腔內(nèi)設(shè)置有隔板；所述隔板將內(nèi)腔分割為上部的熔融腔體和下部的過濾腔體；所述熔融腔體內(nèi)安裝有熔融裝置以及熔液沉淀槽；所述過濾腔體內(nèi)設(shè)置有金屬溶液過濾裝置；所述熔融腔體的一側(cè)設(shè)置有造渣劑添加裝置；所述熔融腔體的頂部設(shè)置有硅料添加裝置以及惰性氣體供氣裝置；所述過濾腔體底部設(shè)置有出氣管；所述隔板上設(shè)置有透氣孔。采用該二次硅料的高溫熔融裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)硅料間歇性的連續(xù)除雜，同時(shí)能夠提高效率，降低成本。