連續(xù)拉晶雙層坩堝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022051831.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213203273U 公開（公告）日 2021-05-14
申請公布號 CN213203273U 申請公布日 2021-05-14
分類號 C30B15/12;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳五奎;陳昊;陳嘉豪;陳輝 申請（專利權(quán)）人 樂山新天源太陽能科技有限公司
代理機構(gòu) 成都點睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李玉興
地址 614000 四川省樂山市樂山高新區(qū)建業(yè)大道888號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種便于硅料連續(xù)添加，能夠有效避免硅料添加影響單晶拉伸品質(zhì)的連續(xù)拉晶雙層坩堝。該連續(xù)拉晶雙層坩堝，包括外層坩堝和內(nèi)層坩堝筒；所述內(nèi)層坩堝筒位于外層坩堝內(nèi)；所述內(nèi)層坩堝筒的側(cè)壁外側(cè)與外層坩堝的內(nèi)壁之間具有進料夾層；所述外層坩堝的下端具有環(huán)形錐面；所述內(nèi)層坩堝筒的下端與環(huán)形錐面的內(nèi)壁連接；所述內(nèi)層坩堝筒的下端與環(huán)形錐面之間設(shè)置有通孔；所述內(nèi)層坩堝筒的側(cè)壁內(nèi)設(shè)置有隔熱層；所述外層坩堝內(nèi)壁的中間位置以及內(nèi)層坩堝筒的外壁上均設(shè)置有安裝凸臺；所述安裝凸臺上安裝有漏板。采用該連續(xù)拉晶雙層坩堝能夠?qū)崿F(xiàn)單晶硅的連續(xù)拉伸；能夠有效的提高生產(chǎn)效率，保證產(chǎn)品質(zhì)量。