一種多晶硅片表面金剛線切割損傷層的去除方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610919642.0 申請日 -
公開（公告）號 CN107971933B 公開（公告）日 2020-05-01
申請公布號 CN107971933B 申請公布日 2020-05-01
分類號 B24C1/04;B24C7/00;B24C9/00;B24C11/00 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 陳五奎;劉強;馮加保;黃振華;徐文州;陳磊 申請（專利權(quán)）人 樂山新天源太陽能科技有限公司
代理機構(gòu) 成都點睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 樂山新天源太陽能科技有限公司
地址 614000 四川省樂山市高新區(qū)建業(yè)大道9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種成本較低且能夠形成較好絨面的多晶硅片表面金剛線切割損傷層的去除方法。本發(fā)明所述的多晶硅片表面金剛線切割損傷層的去除方法利用壓縮空氣攜帶砂料經(jīng)噴槍射向多晶硅片表面5?25秒，所述壓縮空氣的氣壓為0.05?0.1Mpa，噴砂結(jié)束后即可去除50?80％的多晶硅片表面金剛線切割損傷層，利用該方法得到的多晶硅片絨面均勻、反射率低，絨面質(zhì)量較好，而且，該工藝流程簡單，成本非常低，可以大大降低多晶硅片的生產(chǎn)成本。適合在硅片加工技術(shù)領(lǐng)域推廣應(yīng)用。