自鉗位IGBT器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911281948.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110993516B 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN110993516B 申請公布日 2021-06-25
分類號 H01L21/60;H01L23/49;H01L25/18;F02P3/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫永生;鐘圣榮;周東飛 申請（專利權(quán)）人 上海貝嶺股份有限公司
代理機構(gòu) 上海弼興律師事務(wù)所 代理人 薛琦;林嵩
地址 200233 上海市徐匯區(qū)宜山路810號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種自鉗位IGBT器件及其制造方法，所述制造方法包括：在IGBT芯片上制作第一打線窗口；在第一芯片上制作第二打線窗口和第三打線窗口；將所述第一芯片疊放在所述IGBT芯片表面；將所述第一打線窗口和所述第二打線窗口進(jìn)行打線連接，并將所述第三打線窗口和所述IGBT芯片的柵極進(jìn)行打線連接。本發(fā)明在不需要調(diào)整IGBT芯片及晶體管（如二極管）的設(shè)計規(guī)則及工藝的條件下，大大地降低了制造工藝難度，降低了器件的設(shè)計要求，提高了IGBT芯片和晶體管芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計及加工自由度，且在實現(xiàn)自鉗位保護功能的同時也保證了IGBT有源區(qū)面積不損失；另外，制造流程具有一定的通用性，另外也簡化了制造流程。