電荷泵的輸出電壓的檢測(cè)電路及EEPROM
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911322344.3 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN110967552B | 公開(公告)日 | 2021-08-27 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110967552B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-27 |
分類號(hào) | G01R19/25(2006.01)I;G11C5/14(2006.01)I | 分類 | 測(cè)量;測(cè)試; |
發(fā)明人 | 趙強(qiáng);宋金星;趙犇;王鑫;陸云 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海貝嶺股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海弼興律師事務(wù)所 | 代理人 | 薛琦;張冉 |
地址 | 200233上海市徐匯區(qū)宜山路810號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種電荷泵的輸出電壓的檢測(cè)電路及EEPROM,電荷泵包括高壓輸出端,高壓輸出端和地之間連接有鉗位電路,鉗位電路包括輸出鉗位端,檢測(cè)電路包括電荷泵輸出狀態(tài)提取電路和比較電路;電荷泵輸出狀態(tài)提取電路包括第二PMOS管和第一NMOS管;比較電路包括基準(zhǔn)電流源、第四PMOS管、第二NMOS管以及檢測(cè)結(jié)果輸出端;第二PMOS管的源極與高壓輸出端電連接,第二PMOS管的柵極與輸出鉗位端電連接,第二PMOS管的漏極、第一NMOS管的漏極和柵極以及第二NMOS管的柵極電連接,第一、第二NMOS管的源極接地;基準(zhǔn)電流源的輸入端接入電源電壓,基準(zhǔn)電流源的輸出端與第四PMOS管的源極電連接,第四PMOS管以及第二NMOS管的漏極與檢測(cè)結(jié)果輸出端電連接。本發(fā)明功耗及占用的芯片面積均較小。 |
