一種利用濕法黑硅制絨工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711113958.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108010986A 公開（公告）日 2018-05-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN108010986A 申請(qǐng)公布日 2018-05-08
分類號(hào) H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊斌;訾浩明;盧河 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇愛多能源科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京知識(shí)律師事務(wù)所 代理人 江蘇愛多能源科技有限公司
地址 214400 江蘇省無(wú)錫市江陰市周莊鎮(zhèn)寶池路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種濕法黑硅制絨工藝，本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池片技術(shù)領(lǐng)域；它的操作步驟如下：在制絨設(shè)備的一級(jí)制絨槽中利用酸性溶液對(duì)晶硅片進(jìn)行初次制絨；將帶有銀離子的催化劑添加到制絨設(shè)備的二級(jí)制絨槽中，與二級(jí)制絨槽中的酸性溶液進(jìn)行混合，將已經(jīng)初次制絨的晶硅片放入二級(jí)制絨槽中，形成二次微小的納米機(jī)構(gòu)的絨面；將經(jīng)過(guò)二次制絨的晶硅片采用去離子水以及酸性溶液交替清洗數(shù)遍，即可。通過(guò)在正常的多晶絨面的狀態(tài)下，進(jìn)行二次生長(zhǎng)更小的絨面，通過(guò)和正面鍍Si3N4膜的匹配，可以進(jìn)一步明顯的降低太陽(yáng)光的反射，提高電池片光電轉(zhuǎn)化率，最終提高電池片的效率。