濕法刻蝕印消除裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620544109.6 申請日 -
公開（公告）號 CN205863204U 公開（公告）日 2017-01-04
申請公布號 CN205863204U 申請公布日 2017-01-04
分類號 H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊斌;盧河;黃凱 申請（專利權）人 江蘇愛多能源科技股份有限公司
代理機構(gòu) 江陰大田知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉宏亮
地址 214400 江蘇省無錫市江陰市周莊鎮(zhèn)寶池路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種濕法刻蝕印消除裝置，包括用于輸送太陽能硅片的輸送架、水膜噴淋裝置、去PSG槽、水膜減薄裝置、刻蝕槽，輸送架包括若干轉(zhuǎn)動設置且等距分布的輸送輥，水膜噴淋裝置包括沿著輸送輥的長度方向延伸的輸水管、設置于輸水管底部且與輸水管的空腔相連通的噴頭，位于去PSG槽以及刻蝕槽段的輸送輥的部分浸設于去PSG槽以及刻蝕槽內(nèi)，水膜減薄裝置包括轉(zhuǎn)動設置于輸送輥上方的滾輪，滾輪的轉(zhuǎn)動方向與輸送輥的轉(zhuǎn)動方向相反，滾輪與位于輸送輥上的太陽能硅片的上表面相切，有效進行刻蝕印的消除，提升制程控制水平，從而提升公司的競爭力，直接提升產(chǎn)品合格率0.2%。