復合鍍層、鍍膜設(shè)備及鍍膜方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201880005004.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN110088353B | 公開（公告）日 | 2019-08-02 |
| 申請公布號 | CN110088353B | 申請公布日 | 2019-08-02 |
| 分類號 | C23C14/34(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 陳國安;方彬;王浩頡;趙玉剛 | 申請（專利權(quán)）人 | 三環(huán)瓦克華（北京）磁性器件有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京律和信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 三環(huán)瓦克華（北京）磁性器件有限公司;北京中科三環(huán)高技術(shù)股份有限公司 |
| 地址 | 102200北京市昌平區(qū)創(chuàng)新路10號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種形成于釹鐵硼稀土磁體表面的復合鍍層、鍍膜設(shè)備及鍍膜方法。鍍膜設(shè)備包括鍍膜室，鍍膜室的頂部安裝有靶材，其特征在于，靶材包括第一靶材和第二靶材；第一靶材為Nd靶材，或者為Pr靶材，或者為Nd、Pr、Cu中至少兩種以上的合金靶材；第二靶材為Tb靶材；第一靶材位于第二靶材的前方。本發(fā)明的鍍膜設(shè)備及鍍膜方法，提高了重稀土金屬的使用效率。?? |
