一種防止PECVD鍍膜邊緣發(fā)紅的石墨框裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022487454.X 申請日 -
公開（公告）號 CN214004779U 公開（公告）日 2021-08-20
申請公布號 CN214004779U 申請公布日 2021-08-20
分類號 C23C16/458（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/511（2006.01）I;H01L21/673（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 賈佳;劉海濤;杜敬良;王麗婷;黃惜惜;黃國平 申請（專利權(quán)）人 中節(jié)能太陽能科技（鎮(zhèn)江）有限公司
代理機構(gòu) 鎮(zhèn)江基德專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄧月芳
地址 212000江蘇省鎮(zhèn)江市新區(qū)北山路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種防止PECVD鍍膜邊緣發(fā)紅的石墨框裝置，包括石墨框，石墨框內(nèi)設(shè)有邊緣邊框和中間邊框，所述的中間邊框呈縱橫交錯式分布，中間邊框與邊緣邊框之間相交形成若干個載片單元，所述的載片單元用于承載硅片，載片單元的排數(shù)為E，列數(shù)為F，所述的E和F均為大于等于2的整數(shù)，所有的載片單元的四周均設(shè)有下沉槽，邊緣邊框的外側(cè)設(shè)有一圈凹槽，所述的凹槽位于石墨框內(nèi)側(cè)，凹槽距邊緣載片單元的間距為2～4mm，凹槽的深度大于2mm，凹槽的深度小于石墨框的厚度，凹槽的左右兩側(cè)設(shè)有定位孔。本實用新型可有效增加載板邊緣位置等離子體的碰撞幾率，有效解決邊緣發(fā)紅現(xiàn)象，不僅可用于有勾點的石墨框還可用于無勾點的石墨框。