一種磁極間距可調(diào)的MCZ永磁場裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN200920201679.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN201670889U | 公開(公告)日 | 2010-12-15 |
申請公布號 | CN201670889U | 申請公布日 | 2010-12-15 |
分類號 | C30B15/00(2006.01)I;C30B30/04(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 馬恩高;張偉峰;嚴恝俊;李昆侖 | 申請(專利權(quán))人 | 浙江鑫磁谷材料科技股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 杭州九洲專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 嘉興市中科光電科技有限公司;浙江鑫磁谷材料科技有限公司 |
地址 | 314006 浙江省嘉興市亞太路778號5號樓B-403 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種磁極間距可調(diào)的永磁場裝置,它主要由左右磁極、屏蔽罩、軛板、過橋板、連接板、導(dǎo)向桿、調(diào)節(jié)手輪構(gòu)成,所述的軛板有兩塊,分別安裝固定有左磁極和右磁極,并且所述的左磁極和右磁極正對面安裝,磁極相對并相吸;所述的左右兩軛板通過連接板和過橋板連接,構(gòu)成一個完整的磁系回路;所述的左磁極和右磁極都由若干塊稀土釹鐵硼拼接構(gòu)成,其四周分別安裝有防止漏磁的屏蔽體,所述的左磁極被拼接成可移動式貼近于單晶爐的圓弧形磁極;本實用新型通過永磁場裝置有效的抑制硅熔體熱對流,降低單晶硅中的氧濃度,提高太陽能硅片的性能;磁場裝置左磁極成弧形,實現(xiàn)了中心距適量可調(diào),優(yōu)化了工作區(qū)的磁力線分布;整個永磁場裝置不消耗水和電,免維護,沒有噪音污染;整體結(jié)構(gòu)簡單、成本低、使用方便,具有廣泛的前景。 |
