一種去除金屬硅中P、B雜質(zhì)的新方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN200710049165.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN101070159A | 公開(公告)日 | 2007-11-14 |
申請公布號 | CN101070159A | 申請公布日 | 2007-11-14 |
分類號 | C01B33/037(2006.01) | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 劉鋼;雷智;張靜全;彭鑫 | 申請(專利權(quán))人 | 四川威玻新能源材料實(shí)驗(yàn)室有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 610051四川省成都市建材路12號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種去除金屬硅中P、B雜質(zhì)的新方法,本項(xiàng)發(fā)明所屬域?yàn)樾滦凸怆娮硬牧?。為了解決金屬硅中P、B雜質(zhì)元素難于用分凝系數(shù)法去掉的問題,需要將P、B雜質(zhì)元素變成P、B氧化物雜質(zhì),利用P、B氧化物分凝系數(shù)與硅差異較大的特點(diǎn),在驅(qū)融提純過程中將P、B氧化物雜質(zhì)去掉,以達(dá)到提純硅的目的。本發(fā)明結(jié)合驅(qū)融提純法技術(shù)和等離子技術(shù),在驅(qū)融法提純硅的同時(shí),引入一個(gè)等離子噴槍置于硅熔融區(qū)讓濕氧通過氬等離子噴焰,形成部分氧等離子,氧等離子轟擊熔融硅表面,與其中的P、B雜質(zhì)元素反應(yīng),形成P、B氧化物,從而去掉P、B雜質(zhì)元素。 |
