一種溫度的探測(cè)裝置
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111024376.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113932935A | 公開(公告)日 | 2022-01-14 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113932935A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-14 |
分類號(hào) | G01K5/58(2006.01)I | 分類 | 測(cè)量;測(cè)試; |
發(fā)明人 | 吉鵬勃 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 西安柯萊特信息科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 710119陜西省西安市高新區(qū)高新6路立人科技園1幢1單元10401-276室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明屬于溫度探測(cè)領(lǐng)域,特別是涉及一種溫度的探測(cè)裝置,包括底電極層、半導(dǎo)體材料層、金屬單元、熱膨脹材料塊、金屬塊,半導(dǎo)體材料層設(shè)置在底電極層上,金屬單元呈周期性陣列排布設(shè)置在半導(dǎo)體材料層上,金屬單元上設(shè)置有缺口,熱膨脹材料塊設(shè)置在缺口,金屬塊設(shè)置在熱膨脹材料塊上。金屬單元產(chǎn)生的熱電子穿過金屬與半導(dǎo)體界面處的肖特基勢(shì)壘,轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體材料層中,進(jìn)而被底電極層收集,形成光電流。當(dāng)溫度改變時(shí),熱膨脹材料塊發(fā)生膨脹,對(duì)光的吸收發(fā)生改變,導(dǎo)致產(chǎn)生的熱電子的數(shù)量改變。通過光電流的改變實(shí)現(xiàn)溫度的探測(cè)。裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,更有利于在特殊環(huán)境下使用,探測(cè)的精度高,體積小,方便集成。 |
