一種VOx-APPA為空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110541343.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113506852A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN113506852A 申請(qǐng)公布日 2021-10-15
分類(lèi)號(hào) H01L51/42（2006.01）I;H01L51/44（2006.01）I;H01L51/46（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王超;郭鐵 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 宣城先進(jìn)光伏技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京風(fēng)雅頌專(zhuān)利代理有限公司 代理人 袁林濤
地址 242000安徽省宣城市飛彩辦事處清流路99號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種VOx?APPA為空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池及其制備方法，包括基底、空穴傳輸層VOx、界面修飾層APPA、鈣鈦礦吸收層MAPbI3、電子傳輸層PCBM以及金屬電極Ag，所述空穴傳輸層VOx設(shè)置在基底的上表面，所述界面修飾層APPA設(shè)置在空穴傳輸層VOx的上表面，所述鈣鈦礦吸收層MAPbI3設(shè)置在界面修飾層APPA的上表面，所述電子傳輸層PCBM設(shè)置在鈣鈦礦吸收層MAPbI3的上表面，所述金屬電極Ag設(shè)置在電子傳輸層PCBM的上表面；本發(fā)明提供的方法具有操作簡(jiǎn)單、成本低的優(yōu)點(diǎn)，改善了VOx薄膜表面的形貌，同時(shí)使其與鈣鈦礦吸收層的能級(jí)更加匹配，得到的鈣鈦礦薄膜具有表面覆蓋率高，沒(méi)有針孔，晶粒更大的性質(zhì)，且成品具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。