一種VOx-APPA為空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110541343.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113506852A 公開（公告）日 2021-10-15
申請公布號 CN113506852A 申請公布日 2021-10-15
分類號 H01L51/42（2006.01）I;H01L51/44（2006.01）I;H01L51/46（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王超;郭鐵 申請（專利權(quán)）人 宣城先進光伏技術有限公司
代理機構(gòu) 北京風雅頌專利代理有限公司 代理人 袁林濤
地址 242000安徽省宣城市飛彩辦事處清流路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種VOx?APPA為空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽電池及其制備方法，包括基底、空穴傳輸層VOx、界面修飾層APPA、鈣鈦礦吸收層MAPbI3、電子傳輸層PCBM以及金屬電極Ag，所述空穴傳輸層VOx設置在基底的上表面，所述界面修飾層APPA設置在空穴傳輸層VOx的上表面，所述鈣鈦礦吸收層MAPbI3設置在界面修飾層APPA的上表面，所述電子傳輸層PCBM設置在鈣鈦礦吸收層MAPbI3的上表面，所述金屬電極Ag設置在電子傳輸層PCBM的上表面；本發(fā)明提供的方法具有操作簡單、成本低的優(yōu)點，改善了VOx薄膜表面的形貌，同時使其與鈣鈦礦吸收層的能級更加匹配，得到的鈣鈦礦薄膜具有表面覆蓋率高，沒有針孔，晶粒更大的性質(zhì)，且成品具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。