一種輝光放電質(zhì)譜高純鎵測試方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110525400.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113533493A | 公開(公告)日 | 2021-10-22 |
申請公布號(hào) | CN113533493A | 申請公布日 | 2021-10-22 |
分類號(hào) | G01N27/68;G01N1/44;G01N1/42;G01N1/36 | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 徐國軍;張蛟;蘭邦銀;蔣明偉;楊謝行 | 申請(專利權(quán))人 | 宣城先進(jìn)光伏技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司 | 代理人 | 方昊 |
地址 | 242000 安徽省宣城市宣城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)青弋江大道宣城科技園B19-1幢106室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本說明書一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例提供一種輝光放電質(zhì)譜高純鎵測試方法,包括將固態(tài)鎵通過加熱得到液態(tài)鎵,清洗聚四氟乙烯模具,待風(fēng)干后,將聚四氟乙烯模具放入冷卻裝置上,將液態(tài)鎵倒入放置在冷卻裝置上的聚四氟乙烯模具中,并在設(shè)定時(shí)間內(nèi)轉(zhuǎn)移至超凈工作臺(tái)內(nèi),靜置直到獲得成型的樣品,將成型的樣品固定好,并裝入GDMS的樣品室中進(jìn)行抽真空,樣品通過半導(dǎo)體制冷方式降溫在設(shè)定時(shí)間內(nèi)進(jìn)行放電,通過放電濺射去除表面的污染,待信號(hào)穩(wěn)定后通過GDMS采集數(shù)據(jù)并分析,分析結(jié)束后,記錄數(shù)據(jù)并保存,實(shí)現(xiàn)了對鎵、銦這類低熔點(diǎn)的金屬,可通過轉(zhuǎn)化形態(tài)的方式獲得待測平面進(jìn)行測量的問題。 |
