ONO屏蔽柵的SGT結構及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110055819.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112382572B 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號 CN112382572B 申請公布日 2021-11-02
分類號 H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊樂;李鐵生;樓穎穎;李恩求;劉琦 申請（專利權）人 龍騰半導體股份有限公司
代理機構 西安新思維專利商標事務所有限公司 代理人 李罡
地址 710018 陜西省西安市未央?yún)^(qū)經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)鳳城十二路1號出口加工區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及ONO屏蔽柵的SGT結構及其制造方法，在Si襯底片表面生長N型外延層，在外延層表面形成硬掩膜；刻蝕出深溝槽，內填硼硅玻璃BSG；將溝槽內BSG腐蝕至溝槽指定位置，進行第二層氮化硅淀積和厚氧化層淀積；溝槽內回填源極多晶硅并回刻；去除露出的厚氧化層；將溝槽內源極多晶硅刻蝕至溝槽指定位置；形成源極多晶硅氧化層，同時使硼硅玻璃BSG中硼B(yǎng)oron擴散至深溝槽外圍的Si材料中形成P柱；去除露出的氮氧化物、薄氧化物；形成柵極氧化層,回填柵極多晶硅并回刻，形成器件的柵極；開接觸孔和金屬布線。本發(fā)明在暴露的硼硅玻璃上方淀積了高密度氮化硅，能有效阻止硼在后續(xù)的高溫爐管工藝過程中析出。