基于元胞結(jié)構(gòu)的溝槽型肖特基二極管器件結(jié)構(gòu)及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110448706.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113054039A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113054039A 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李恩求;李鐵生;楊樂;劉琦 申請（專利權(quán)）人 龍騰半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 西安新思維專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 李罡
地址 710018 陜西省西安市未央?yún)^(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳城十二路1號出口加工區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及基于元胞結(jié)構(gòu)的溝槽型肖特基二極管器件結(jié)構(gòu)，所述器件采用蜂窩狀點陣排列的元胞結(jié)構(gòu)，在整個元胞區(qū)上方覆蓋有肖特基勢壘金屬，元胞區(qū)相鄰溝槽之間不連通，肖特基勢壘之間連通。本發(fā)明的元胞結(jié)構(gòu)采用蜂窩式的溝槽分布，硅表面溝槽與溝槽之間除了溝槽側(cè)壁的氧化物外，其余部分均為肖特基接觸區(qū)域，這樣在保證減小表面電場的前提下，將肖特基接觸區(qū)域最大化，從而實現(xiàn)用相同的芯片面積達到VF大幅下降，進而降低二極管導(dǎo)通損耗的效果。