改善柵極氧化層質量的屏蔽柵溝槽MOSFET制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810062556.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108364870B 公開（公告）日 2021-03-02
申請公布號 CN108364870B 申請公布日 2021-03-02
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周宏偉;楊樂;劉挺;岳玲 申請（專利權）人 龍騰半導體股份有限公司
代理機構 西安新思維專利商標事務所有限公司 代理人 李罡
地址 710000 陜西省西安市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)鳳城十二路1號出口加工區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種改善柵極氧化層質量的屏蔽柵溝槽MOSFET制造方法，通過在深槽內(nèi)填充并回刻蝕多晶硅，使兩個深槽互相電荷平衡完成超結功能，再在深槽上方采用氧化層淀積加厚柵極源極間氧化層，最后通過柵極熱氧化和多晶硅淀積，共同構成屏蔽柵溝槽器件。本發(fā)明通過一次能氧化層各向異性淀積的特殊條件高密度等離子體化學氣相淀積對柵極源極間氧化層厚度和形貌進行調整，可形成高質量柵極源極間氧化層，可以用傳統(tǒng)的半導體制造工藝實現(xiàn)，在工藝難度不增加的情況下改善源極多晶硅與柵極多晶硅之間氧化層質量，優(yōu)化產(chǎn)品的參數(shù)，提高成品率和可靠性，最終達到降低芯片成本。??