溝槽型MOSFET器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010875611.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114122130A | 公開（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114122130A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類號(hào) | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 樓穎穎;李鐵生;楊樂 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 龍騰半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 吳世華;陶金龍 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祖沖之路1239弄1號(hào)3樓TC-313單元 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種溝槽型MOSFET器件，包括：位于襯底上的第一摻雜類型的第一外延層；第二摻雜類型的第一導(dǎo)電層，所述第二摻雜類型的第一導(dǎo)電層位于第一摻雜類型的第一外延層內(nèi)，且所述第二摻雜類型與所述第一摻雜類型相反；第一摻雜類型的第二外延層，所述第一摻雜類型的第二外延層位于所述第一摻雜類型的第一外延層的表面和所述第二摻雜類型的第一導(dǎo)電層的表面；體區(qū)；位于所述第一摻雜類型的第二外延層內(nèi)的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層連通所述第二摻雜類型的第一導(dǎo)電層和所述體區(qū)?；诒景l(fā)明的溝槽型MOSFET器件，提高溝槽型MOSFET器件的耐壓BV，減小Crss/Ciss，進(jìn)而提升溝槽型MOSFET器件的可靠性。 |
