電荷平衡溝槽超勢(shì)壘整流器及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011361521.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112510079A | 公開（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112510079A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-16 |
| 分類號(hào) | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張軍亮;張園園;李鐵生;徐西昌 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 龍騰半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安新思維專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 李罡 |
| 地址 | 710018陜西省西安市未央?yún)^(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳城十二路1號(hào)出口加工區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及電荷平衡溝槽超勢(shì)壘整流器及其制造方法，所述整流器包括第一摻雜類型重參雜襯底和其上方的第一摻雜類型輕摻雜外延層；第一摻雜類型輕摻雜外延層內(nèi)側(cè)為第一溝槽填充物，第一溝槽填充物上方為第二摻雜類型阱區(qū)、第一摻雜類型離子注入重參雜區(qū)和第二摻雜類型注入?yún)^(qū)離子注入重參雜區(qū)；第一摻雜類型輕摻雜外延層中為第二溝槽側(cè)壁的柵氧化物和第二溝槽的填充物。本發(fā)明的整流器通過溝槽結(jié)構(gòu)，消除傳統(tǒng)平面SBR器件的JFET區(qū)電阻；引入了電荷平衡結(jié)構(gòu)漂移區(qū)，提高了SBR器件耐壓漂移區(qū)的摻雜濃度，進(jìn)一步降低了SBR的通態(tài)電阻。?? |
