溝槽型MOSFET器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010875588.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114122129A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114122129A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 樓穎穎;李鐵生;楊樂 申請（專利權(quán)）人 龍騰半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 吳世華;陶金龍
地址 201203上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祖沖之路1239弄1號3樓TC-313單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種溝槽型MOSFET器件，包括：位于襯底上的第一摻雜類型的外延層；溝槽，所述溝槽位于所述第一摻雜類型的外延層內(nèi)；體區(qū)，所述體區(qū)位于所述第一摻雜類型的外延層內(nèi)的上部區(qū)域且與所述溝槽相鄰；第二摻雜類型的浮動(dòng)區(qū)，所述第二摻雜類型的浮動(dòng)區(qū)位于所述第一摻雜類型的外延層內(nèi)，且鄰近所述溝槽的底部以及鄰近所述溝槽的底部側(cè)壁；所述第二摻雜類型的浮動(dòng)區(qū)與所述體區(qū)之間電接觸，且所述第二摻雜類型的浮動(dòng)區(qū)與所述體區(qū)為等電位?；诒景l(fā)明的溝槽型MOSFET器件，提高溝槽型MOSFET器件的耐壓BV，減小Crss/Ciss，進(jìn)而提升溝槽型MOSFET器件的可靠性。