一種降低編程干擾的控制方法及裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810963290.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN109378028A 公開(kāi)(公告)日 2019-02-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN109378028A 申請(qǐng)公布日 2019-02-22
分類(lèi)號(hào) G11C16/34;G11C16/30 分類(lèi) 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 梁軻;侯春源 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 長(zhǎng)存創(chuàng)芯(上海)集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
地址 430074 湖北省武漢市洪山區(qū)東湖開(kāi)發(fā)區(qū)關(guān)東科技工業(yè)園華光大道18號(hào)7018室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種降低編程干擾的控制方法,所述方法應(yīng)用于存儲(chǔ)器件,所述方法包括:在預(yù)充電階段,在所述存儲(chǔ)器件的底柵上加載第一預(yù)設(shè)電位;在所述存儲(chǔ)器件的P阱上加載第二預(yù)設(shè)電位;并且所述第一預(yù)設(shè)電位低于所述第二預(yù)設(shè)電位,以使所述存儲(chǔ)器件的溝道孔的電位基于所述第一預(yù)設(shè)電位和所述第二預(yù)設(shè)電位之間的電位差而提升。