一種PECVD沉積非晶硅薄膜的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010205348.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113437183A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113437183A 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L31/20（2006.01）I;H01L31/075（2012.01）I;H01L21/02（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 樊選東 申請（專利權）人 中建材浚鑫科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 214400江蘇省無錫市江陰市申港鎮(zhèn)鎮(zhèn)澄路1011號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種PECVD沉積非晶硅薄膜的方法，步驟如下：S1，以SiO2石英玻片為基板，先用洗潔劑反復擦洗，然后依次用去離子水、丙酮和無水乙醇各超聲20min，采用氮氣吹干；S2，夾裝PI襯底到所述基板，使用PECVD設備制備正面本征非晶硅層，正面n型摻雜非晶硅層，中間i型摻雜非晶硅層，背面本征非晶硅厚度，背面p型摻雜非晶硅層；S3，磁控濺射沉積ITO薄膜，正背面ITO薄膜厚度為80nm；S4，絲網(wǎng)印刷正背面銀金屬電極，主柵寬度為0.1～2mm，主柵數(shù)目為2～20，正背面銀副柵線寬度為20～70μm，線數(shù)為80～250；S5，固化燒結使金屬與硅之間形成良好的歐姆接觸；S6，進行電池的電性能測試，測量電池量產(chǎn)平均效率。