一種抗PID太陽能電池減反射膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010205410.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113437175A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113437175A 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 樊選東 申請（專利權(quán)）人 中建材浚鑫科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 214400江蘇省無錫市江陰市申港鎮(zhèn)鎮(zhèn)澄路1011號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種抗PID太陽能電池減反射膜的制備方法，鍍膜工藝如下：通過氧氣迅速氧化電池片表面形成一層均勻的SiO2薄膜；將電池片放入氧化器內(nèi)，氧化器通入高純氧，電池片經(jīng)過滾輪通過氧化器；在SiO2薄膜上鍍第一層SiNx膜；將電池片插入石墨舟后送入爐管，設(shè)置爐管溫度450℃，開始進行鍍SiNx膜工藝，具體步驟為：（1）抽真空；（2）鍍膜，通入反應(yīng)氣體SiH4和NH3，SiH4流量900sccm，NH3流量3800sccm，反應(yīng)壓力1600Pa，高頻功率6500W，高頻占空比40：400，沉積時間190s；（3）穩(wěn)壓；在第一層SiNx膜上鍍第二層SiNx膜；具體步驟為：（1）鍍膜，工藝設(shè)置溫度450℃，通入SiH4和NH3，SiH4流量700sccm，NH3流量7000sccm，反應(yīng)壓力1600Pa，高頻功率6500W，高頻占空比40：400，沉積時間515s；（2）排廢氣取出石墨舟。