一種金屬氧化物半導體氣體傳感器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711447455.8 申請日 -
公開（公告）號 CN108362740B 公開（公告）日 2018-08-03
申請公布號 CN108362740B 申請公布日 2018-08-03
分類號 G01N27/12(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 雷鳴;饒吉磊;賀方杰 申請（專利權）人 武漢微納傳感技術有限公司
代理機構 北京輕創(chuàng)知識產權代理有限公司 代理人 武漢微納傳感技術有限公司
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)武大園路5-1號國家地球空間信息產業(yè)基地南主樓1單元4層01號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種金屬氧化物半導體氣體傳感器及其制作方法，包括：由下往上依次層疊的微熱盤、絕緣隔離層和敏感電極，以及覆蓋在敏感電極上方的氣體敏感材料，敏感電極位于微熱盤表面的絕緣隔離層上方，包括：第一敏感電極、第二敏感電極和懸置敏感電極，懸置敏感電極位于第一敏感電極和第二敏感電極之間。本發(fā)明提供的一種金屬氧化物半導體氣體傳感器，通過在兩敏感電極之間引入懸置敏感電極，改善了電場強度分布、微熱盤發(fā)熱區(qū)的溫度分布、氣體傳感器的靈敏度和氣體傳感器長期穩(wěn)定性，該氣體傳感器可以長時間承受較高的工作電壓，工作可靠性顯著提高，適用于產品進一步小型化。??