一種空氣中安全快速制備二維鈣鈦礦單晶的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011633295.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN112853486A | 公開(公告)日 | 2021-05-28 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112853486A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-28 |
分類號(hào) | C30B33/00(2006.01)I;C30B7/14(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 賀程宇;李靜;楊一鳴;包亞男;李華鋒;李建良;張琦;胡錫兵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 大連理工大學(xué)專利中心 | 代理人 | 李曉亮 |
地址 | 116024遼寧省大連市甘井子區(qū)凌工路2號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種空氣中安全快速制備二維鈣鈦礦單晶的方法,屬于新型半導(dǎo)體光電材料領(lǐng)域。通過反溶劑逆溫快速結(jié)晶的方法制備高質(zhì)量二維鈣鈦礦單晶(BA)2PbI4和(PEA)2PbI4,制備出的單晶為片狀或條狀的橙色晶體,橫向尺寸為幾百微米到幾毫米,質(zhì)量良好,可通過控制加熱溫度,可調(diào)制二維鈣鈦礦單晶生長速度和密度,并且可采用膠帶剝離法將合成的單晶撕成原子級(jí)厚度的薄片。相比于之前的生長方法,此方法可在短時(shí)間內(nèi)生長出大量的單晶,生長速度大大增加;并且生長過程不涉及強(qiáng)酸、低溫,操作安全、便捷,對(duì)二維鈣鈦礦單晶的大批量生長具有重要意義。?? |
