一種多單晶硅切割渣熔煉方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910384800.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110243177A 公開（公告）日 2019-09-17
申請公布號 CN110243177A 申請公布日 2019-09-17
分類號 F27B14/06;F27B14/08;F27B14/20 分類 爐；窯；烘烤爐；蒸餾爐〔4〕;
發(fā)明人 羊?qū)?庹開正 申請（專利權(quán)）人 永平縣泰達(dá)廢渣開發(fā)利用有限公司
代理機構(gòu) 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張嚴(yán)芳
地址 672600 云南省大理白族自治州永平縣博南鎮(zhèn)蘇屯村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多單晶硅切割渣熔煉方法，解決了現(xiàn)有的硅切割渣熔煉感應(yīng)爐的爐頂無遮蓋，會因為氧氣對硅的氧化或者抽氣裝置將硅粉抽走以及熔煉時溫度不均勻容易造成硅熔融液飛濺等造成熔煉硅的收率降低的問題。本發(fā)明包括以下步驟：打開蓋體進(jìn)行投料、關(guān)閉蓋體，調(diào)節(jié)石墨板高度，感應(yīng)加熱和底部通惰性氣體，熔煉，起爐出料。本發(fā)明具有能有效防止熔渣結(jié)殼、硅氧化以及硅粉被吸塵裝置抽走，煉硅收率高等優(yōu)點。