一種聚硼碳硅烷的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011173641.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112280048B | 公開(公告)日 | 2022-02-18 |
申請公布號 | CN112280048B | 申請公布日 | 2022-02-18 |
分類號 | C08G77/60(2006.01)IUS 6252101 B1,2001.06.26;CN 102093564 A,2011.06.15;CN 110698678 A,2020.01.17;US 5298467 A,1994.03.29;CN 110204730 A,2019.09.06;CN 110846742 A,2020.02.28;DE 4320786 A1,1994.01.05;CN 110629324 A,2019.12.31;US 4550151 A,1985.10.29 楊露姣 等.先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法制備硅硼碳氮陶瓷的結(jié)構(gòu)與性能.《化學(xué)進(jìn)展》.2016,第28卷(第Z2期),第308-316頁.;朱旖華 等.高硼含量的SiC陶瓷先驅(qū)體的合成和表征.《高等學(xué)?;瘜W(xué)學(xué)報(bào)》.2013,第34卷(第10期),第2415-2420頁.;馬愛潔 等.含硼聚碳硅烷的制備及熱解行為.《高分子材料科學(xué)與工程》.2018,第34卷(第4期),第110-115頁.;Marion Schmidt 等.Molecular-Level Processing of Si-(B)-C Materials with TailoredNano/Microstructures.《CHEMISTRY-A EUROPEAN JOURNAL》.2017,第23卷第17103-17117頁.;Alexis R. Puerta 等.Synthesis and Ceramic Conversion Reactions of 9-BBN-Modified Allylhydridopolycarbosilane: A New Single-Source Precursor to Boron-Modified Silicon Carbide.《Chemistry of Materials》.2002,第15卷(第2期),第478-485頁. | 分類 | 有機(jī)高分子化合物;其制備或化學(xué)加工;以其為基料的組合物; |
發(fā)明人 | 顧喜雙;周永江;郟保琪;曹義;張雄軍;尚來東;蔣博 | 申請(專利權(quán))人 | 浙江華茂航天科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 長沙國科天河知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 閔亞紅 |
地址 | 315000浙江省寧波市海曙區(qū)橫街鎮(zhèn)萬華村(華茂文教5幢、6幢廠房) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種聚硼碳硅烷的制備方法,該方法先將含有(X)nSi(Y)m的硅烷進(jìn)行烯烴復(fù)分解反應(yīng)獲得第一原料(Y)m(Z)nSi(Y)m,再以(Y)m(Z)nSi(Y)m與硅烷通過硅氫加成反應(yīng)獲得第一中間產(chǎn)物,所述硅氫加成反應(yīng)溫度為20~180℃,反應(yīng)時(shí)間為10~500h,所述硅烷與所述第一原料的物質(zhì)量比為1:0.2~4;最后向所述第一中間產(chǎn)物加入含硼化合物,在10~420℃下反應(yīng)1~20h后制得所述聚硼碳硅烷。采用本發(fā)明方法制得的聚硼碳硅烷硼含量高,可達(dá)0.1~2.4mol/100g,且硼含量可調(diào)控。 |
