一種自偏置的帶隙基準(zhǔn)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910954319.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110888485B 公開(kāi)（公告）日 2022-01-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN110888485B 申請(qǐng)公布日 2022-01-18
分類號(hào) G05F1/567（2006.01）I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 關(guān)宇恒;朱敏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 芯創(chuàng)智（北京）微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天悅專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 田明;文永明
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)榮華中路10號(hào)1幢A座17層1717
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種自偏置的帶隙基準(zhǔn)電路，包括帶隙基準(zhǔn)電路：晶體管M1漏極與M3漏極相連，并且與M1、M2柵極相連；M2漏極與M4漏極相連，并且與M5、M6、M8、M11柵極相連；M3、M4、M7與串聯(lián)的晶體管組M12、M13、M14的柵極相連；第一晶體管Q1基極與集電極連接并接地，第一晶體管Q1發(fā)射極與M1源極相連；第二晶體管Q2基極與集電極連接并接地，第二晶體管Q2發(fā)射極連接R1一端，R1另一端連接M2源極，產(chǎn)生與溫度系數(shù)成正比的電流值；第三晶體管Q3基極與集電極連接并接地，第三晶體管Q3發(fā)射極連接R2的一端，R2的另一端連接M7漏極，產(chǎn)生與溫度系數(shù)成反比的電壓值。本發(fā)明能獲得一個(gè)對(duì)電源電壓不敏感、低功耗、低溫度系數(shù)、且快速響應(yīng)的帶隙基準(zhǔn)電壓。