一種三元摻雜半導體及其制備工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011609370.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112853475A 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號 CN112853475A 申請公布日 2021-05-28
分類號 C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉杰;馬自成;張軍 申請（專利權）人 四川永祥硅材料有限公司
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 王洋
地址 614800 四川省樂山市五通橋區(qū)竹根鎮(zhèn)永祥路100號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種三元摻雜半導體制備工藝，包括：硅原料、摻雜劑和籽晶混合，清洗，烘干，在真空條件下，熔融、引晶、放肩、轉肩、等徑、收尾得到；所述摻雜劑包括B、P和Ga；所述摻雜劑的添加量按照如下計算：硼：（硅原料投量重量的75％*頭部電阻率原子濃度）/（B原子濃度*B的分凝系數(shù)）；磷：（硅原料投量重量的45％*頭部電阻率原子濃度）/（P原子濃度*P的分凝系數(shù)）；鎵：（硅原料投量重量30％*頭部電阻率原子濃度*Ga的原子質量）/（阿伏伽德羅常數(shù)*硅的比重*Ga的分凝系數(shù)。本發(fā)明B、P和Ga元素按照上述特定配比摻雜，可以有效減低硅片硼氧濃度，可以解決光衰高的技術問題，同時提高轉換效率。