射頻芯片結構和增加射頻芯片隔離度的方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202110459658.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN113141192A | 公開（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申請公布號 | CN113141192A | 申請公布日 | 2021-07-20 |
| 分類號 | H04B1/40（2015.01）I;H04B7/0413（2017.01）I | 分類 | 電通信技術; |
| 發(fā)明人 | 張松柏;盛懷茂;施穎 | 申請（專利權）人 | 芯樸科技（上海）有限公司 |
| 代理機構 | 上海和華啟核知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 余昌昊 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)博霞路22號305室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種射頻芯片結構和增加射頻芯片隔離度的方法，射頻芯片結構包括：集成在一個芯片中的多個射頻模塊，所述芯片外圍和相鄰所述射頻模塊之間設置有隔離環(huán)，所述隔離環(huán)位于相鄰所述射頻模塊之間的中間部分接地。本發(fā)明實現(xiàn)高度集成的射頻模組設計，既提高芯片的啟動和響應時間，又降低整體成本。 |
