熱跟蹤補償功率放大器的偏置電路
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010221716.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111404501A | 公開（公告）日 | 2020-07-10 |
| 申請公布號 | CN111404501A | 申請公布日 | 2020-07-10 |
| 分類號 | H03F3/24(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 付翔;施穎 | 申請（專利權(quán)）人 | 芯樸科技（上海）有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海啟核知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 芯樸科技（上海）有限公司 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)博霞路22號305室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請熱跟蹤補償功率放大器的偏置電路、無線通信設備，該偏置電路包括發(fā)射極跟隨器，所述發(fā)射極跟隨器的基極連接至偏置電流，集電極連接至電壓源，發(fā)射極連接至功率晶體管陣列中的多個功率晶體管的每個的基極；第一、第二和第三二極管，所述第一二極管的一端連接所述偏置電流，所述第一二極管的另一端連接所述第二和第三二極管，所述第二和第三二極管的另一端連接到地端，其中，所述第二二極管設置于所述功率晶體管陣列外，所述第三二極管設置于所述功率晶體管內(nèi)，所述第二二極管與所述第三二極管的面積比為1:9?9:1。?? |
