一種柔性TFT器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010594145.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111900252A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-11-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111900252A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-06 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 龔巖芬;龔政;胡詩(shī)犇;陳志濤;郭嬋;王建太;龐超;潘章旭;劉久澄 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣東省科學(xué)院 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院 |
| 地址 | 510000廣東省廣州市天河區(qū)長(zhǎng)興路363號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種柔性TFT器件及其制備方法。本發(fā)明的柔性TFT器件依次包括柔性襯底、PI黏附層、柵電極、介電層、PαMS修飾層、半導(dǎo)體層、界面修飾層和源漏電極層，所述柵電極含有PEDOT:PSS，所述介電層含有PDMS?HfO2雜化材料，所述半導(dǎo)體層含有鑭銦鋅氧化物?聚四乙烯基苯酚雜化材料。本發(fā)明采用上述有機(jī)與無(wú)機(jī)雜化體系材料和TFT器件結(jié)構(gòu)，減少器件的因彎折而發(fā)生的膜層裂痕、位移等問(wèn)題，從而提高柔性TFT器件的耐彎曲特性、穩(wěn)定性和壽命。?? |
