電容缺陷檢測方法、裝置、電子設備及存儲介質

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011544534.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112598646A 公開（公告）日 2021-04-02
申請公布號 CN112598646A 申請公布日 2021-04-02
分類號 G06T7/00(2017.01)I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 朱焱;姜浩;王少軍;蔡權雄;牛昕宇 申請（專利權）人 山東產(chǎn)研鯤云人工智能研究院有限公司
代理機構 深圳市華優(yōu)知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 余薇
地址 250000山東省濟南市歷城區(qū)港興三路未來創(chuàng)業(yè)廣場3號樓1401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公布了提供一種電容缺陷檢測方法，包括：獲取待檢測圖像，所述待檢測圖像包括待檢測電容；將所述待檢測圖像進行隨機切塊，得到若干個圖像塊；將所述待檢測圖像與所述圖像塊輸入預先訓練好的電容缺陷檢測模型中進行缺陷進行特征提取和特征解碼，得到電容缺陷檢測結果，所述預先訓練好的電容缺陷檢測模型包括用于對所述待檢測圖像進行第一特征提取操作的第一網(wǎng)絡、用于對所述圖像塊進行第二特征提取操作的第二網(wǎng)絡以及用于特征解碼的解碼網(wǎng)絡。通過第一特征提取操作對待檢測圖像進行全局特征提取，和通過第二特征提取操作對圖像塊進行局部特征提取，可以從局部特征挖掘出電容缺陷的信息表征，從而提高了電容缺陷的檢測準確度。??