一種可靠性提高的E2PROM集成電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN98214245.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN2341279Y 公開（公告）日 1999-09-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN2341279Y 申請(qǐng)公布日 1999-09-29
分類號(hào) H01L27/112 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張征 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海貝嶺微電子制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 張政權(quán)
地址 200233上海市宜山路810號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種E2PROM集成電路,它包括半導(dǎo)體襯底、位于襯底上的E2PROM存儲(chǔ)單元陣列、覆蓋在所述存儲(chǔ)單元陣列上的介質(zhì)層,其中所述E2PROM集成電路還包括覆蓋需要保護(hù)的E2PROM存儲(chǔ)單元陣列至少一部分以屏蔽外來電場(chǎng)干擾的附加金屬膜,所述金屬膜位于介質(zhì)層上并與襯底在電氣上相連。所述附加金屬膜的形狀可以是片狀、網(wǎng)狀或絲狀。所述附加金屬膜是在所述介質(zhì)層上形成上層金屬互連的同時(shí)形成的。