一種LDMOS器件以及制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910313332.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110010473A 公開（公告）日 2019-07-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN110010473A 申請(qǐng)公布日 2019-07-12
分類號(hào) H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 萬寧;李科;叢密芳;任建偉;李永強(qiáng);宋李梅;黃苒;趙博華;蘇暢;李浩;黃振興;杜寰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京頓思集成電路設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京正理專利代理有限公司 代理人 北京頓思集成電路設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司
地址 100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十四街99號(hào)33幢D棟二層2193號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種LDMOS器件以及制作方法，所述LDMOS器件包括：第一導(dǎo)電類型的襯底；位于所述襯底上的外延層；位于所述外延層上的漂移區(qū)；位于所述外延層上的阱區(qū)；位于所述外延層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上且處于所述漂移區(qū)與所述阱區(qū)之間的溝道區(qū)；位于所述阱區(qū)以及所述溝道區(qū)之間的源區(qū)；位于所述源區(qū)與所述溝道區(qū)中的連接區(qū)；位于所述漂移區(qū)中的漏區(qū)；位于所述溝道區(qū)遠(yuǎn)離所述外延層的表面上的柵極絕緣層；位于所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述外延層的一側(cè)的柵極；以及覆蓋所述漂移區(qū)遠(yuǎn)離所述外延層的表面以及所述柵極遠(yuǎn)離所述外延層的表面的外層絕緣層。本發(fā)明能夠滿足較高等級(jí)的可靠性以及防靜電能力。