半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811613682.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109860300A 公開（公告）日 2019-06-07
申請公布號 CN109860300A 申請公布日 2019-06-07
分類號 H01L29/78（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 萬寧; 李科; 叢密芳; 任建偉; 李永強(qiáng); 宋李梅; 黃苒; 趙博華; 蘇暢; 李浩; 黃振興; 杜寰 申請（專利權(quán)）人 北京頓思集成電路設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京頓思集成電路設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司
地址 102600 北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十四街99號33幢D棟二層2193號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，該半導(dǎo)體器件包括：襯底；外延層，位于襯底上；柵介質(zhì)層，位于外延層上；柵極，位于柵介質(zhì)層上；源區(qū)與漏區(qū)，分別位于柵極兩側(cè)；漂移區(qū)，位于外延層中，并與柵極的一側(cè)相鄰，漂移區(qū)與漏區(qū)位于柵極的同一側(cè)；以及屏蔽環(huán)，至少覆蓋漂移區(qū)與柵極相鄰的部分，半導(dǎo)體器件還包括位于漂移區(qū)中的第一摻雜區(qū)，第一摻雜區(qū)與屏蔽環(huán)的位置對應(yīng)，其中，襯底與外延層為第一摻雜類型，源區(qū)、漏區(qū)、漂移區(qū)、以及第一摻雜區(qū)為第二摻雜類型，第一摻雜區(qū)的摻雜濃度大于漂移區(qū)的摻雜濃度。該半導(dǎo)體器件通過在漂移區(qū)中設(shè)置第一摻雜區(qū)從而提高了半導(dǎo)體器件的擊穿電壓，同時(shí)降低了器件的導(dǎo)通電阻，優(yōu)化了半導(dǎo)體器件的性能。