LDMOS器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910149287.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109920737A 公開（公告）日 2019-06-21
申請公布號 CN109920737A 申請公布日 2019-06-21
分類號 H01L21/336（2006.01）I; H01L21/265（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L29/167（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 萬寧; 李科; 叢密芳; 任建偉; 李永強(qiáng); 宋李梅; 黃苒; 趙博華; 蘇暢; 李浩; 黃振興; 杜寰 申請（專利權(quán)）人 北京頓思集成電路設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京頓思集成電路設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司
地址 102600 北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十四街99號33幢D棟二層2193號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種LDMOS器件及其制造方法，包括形成襯底以及位于襯底上方的外延層，襯底與外延層具有第一導(dǎo)電類型；在外延層中形成下沉區(qū)，下沉區(qū)至少部分接觸襯底；在外延層中形成具有第一導(dǎo)電類型的埋層，埋層覆蓋下沉區(qū)；在外延層上依次形成柵氧化層以及柵極；在柵極下方形成彼此靠近的具有第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)和第一導(dǎo)電類型的溝道區(qū)，漂移區(qū)遠(yuǎn)離下沉區(qū)；分別在溝道區(qū)形成源區(qū)，在漂移區(qū)形成漏區(qū)，源區(qū)通過下沉區(qū)與襯底連接，埋層形成于柵極靠近源區(qū)的一側(cè)。本發(fā)明通過光刻注入一中等摻雜濃度的與溝道區(qū)導(dǎo)電類型一致的埋層，埋層位于溝道下方并覆蓋下沉區(qū)，使得寄生晶體管內(nèi)的基區(qū)電阻下降，避免了因寄生晶體管開啟燒毀器件。