一種LDMOS器件結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810791054.2 申請日 -
公開（公告）號 CN109119472A 公開（公告）日 2019-01-01
申請公布號 CN109119472A 申請公布日 2019-01-01
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L23/552 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李科;萬寧;叢密芳;任建偉;李永強;黃苒;蘇暢;李浩;杜寰 申請（專利權(quán)）人 北京頓思集成電路設(shè)計有限責任公司
代理機構(gòu) 北京正理專利代理有限公司 代理人 北京頓思集成電路設(shè)計有限責任公司
地址 100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十四街99號33幢D棟二層2193號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種LDMOS器件結(jié)構(gòu)，包括：第一導(dǎo)電類型的襯底，形成在襯底上的第一導(dǎo)電類型的外延層；形成在外延層中的第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)；第一導(dǎo)電類型的阱區(qū)，自外延層的表面延伸到襯底中；第一導(dǎo)電類型的溝道區(qū)，形成在漂移區(qū)中并位于漂移區(qū)與阱區(qū)之間；第二導(dǎo)電類型的源區(qū)，位于阱區(qū)和溝道區(qū)中；以及第二導(dǎo)電類型的漏區(qū)，位于漂移區(qū)中，位于溝道區(qū)上方的柵極，其間形成有柵極絕緣層；其中，自外延層的靠近表面處還形成有溝槽，溝槽部分地覆蓋漂移區(qū)及溝道區(qū)，溝槽填充有氧化物構(gòu)成的溝槽填充區(qū)域。本發(fā)明還公開一種制作該LDMOS器件結(jié)構(gòu)的方法。