一種LDMOS器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821139050.8 申請日 -
公開（公告）號 CN208589450U 公開（公告）日 2019-03-08
申請公布號 CN208589450U 申請公布日 2019-03-08
分類號 H01L29/78（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L23/552（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 萬寧; 李科; 叢密芳; 任建偉; 李永強; 黃苒; 蘇暢; 李浩; 杜寰 申請（專利權(quán)）人 北京頓思集成電路設(shè)計有限責任公司
代理機構(gòu) 北京正理專利代理有限公司 代理人 北京頓思集成電路設(shè)計有限責任公司
地址 100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十四街99號33幢D棟二層2193號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種LDMOS器件，包括：第一導電類型的襯底和形成在襯底上的第一導電類型的外延層，其特征在于，自外延層表面向下延伸的第二導電類型的漂移區(qū)；自外延層表面向下延伸至襯底的第一導電類型的阱區(qū)；自外延層表面向下延伸的第一導電類型的溝道區(qū)，位于漂移區(qū)與阱區(qū)之間；第二導電類型的源區(qū)，位于阱區(qū)與溝道區(qū)中；第二導電類型的漏區(qū)，位于漂移區(qū)中；位于溝道區(qū)上方的柵極，其間形成有柵極絕緣層；覆蓋漂移區(qū)表面及柵極表面的絕緣層；位于絕緣層中部分地覆蓋柵極及漂移區(qū)的屏蔽環(huán)，屏蔽環(huán)在鄰近柵極側(cè)具有凹陷部。