一種評(píng)估射頻功率LDMOS器件散熱特性的方法以及系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910019893.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109917260B 公開（公告）日 2021-06-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN109917260B 申請(qǐng)公布日 2021-06-29
分類號(hào) G01R31/26（2014.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 李浩;杜寰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京頓思集成電路設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京正理專利代理有限公司 代理人 付生輝
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十四街99號(hào)33幢D棟二層2193號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種評(píng)估射頻功率LDMOS器件散熱特性的方法，包括以下步驟：通過(guò)傳輸線脈沖測(cè)試裝置對(duì)待測(cè)LDMOS器件進(jìn)行測(cè)試得到IV測(cè)試曲線；對(duì)所述IV測(cè)試曲線中的上升段部分進(jìn)行線性擬合得到所述待測(cè)LDMOS器件的寄生電阻值；通過(guò)所述待測(cè)LDMOS器件的寄生電阻值得到所述待測(cè)LDMOS器件的寄生電阻變化因子；將所述寄生電阻變化因子與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷所述待測(cè)LDMOS器件的散熱特性。本發(fā)明提高了評(píng)估待測(cè)LDMOS器件散熱特性的便捷性以及簡(jiǎn)潔性。