電阻型存儲(chǔ)器的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110221864.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102254803B 公開（公告）日 2013-05-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN102254803B 申請(qǐng)公布日 2013-05-01
分類號(hào) H01L21/265(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王慰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇暢微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京五洲洋和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張向琨;劉春成
地址 215513 江蘇省常熟經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)通港路88號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種電阻型存儲(chǔ)器的制備方法，包括步驟：對(duì)下電極構(gòu)圖，對(duì)所述下電極進(jìn)行氧離子注入，以使下電極形成氧化物存儲(chǔ)介質(zhì)層；對(duì)所述氧化物存儲(chǔ)介質(zhì)層進(jìn)行退火處理；以及在所述氧化物存儲(chǔ)介質(zhì)層上構(gòu)圖并形成上電極。根據(jù)本發(fā)明所述的電阻型存儲(chǔ)器的制備方法，存儲(chǔ)介質(zhì)層與下電極基體間不產(chǎn)生空洞，氧化物存儲(chǔ)介質(zhì)層均勻，O元素在氧化物存儲(chǔ)介質(zhì)層中的分布均勻。采用所述方法制備的電阻型存儲(chǔ)器具有制作成本低、效果好、易與CMOS工藝集成的優(yōu)點(diǎn)。