能夠快速驟回的逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管及其實現(xiàn)方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910199404.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111697067A 公開（公告）日 2020-09-22
申請公布號 CN111697067A 申請公布日 2020-09-22
分類號 H01L29/739(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 櫻井建彌;吳磊 申請（專利權(quán)）人 上海睿驅(qū)微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京知元同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司;上海睿驅(qū)微電子科技有限公司
地址 201800上海市嘉定區(qū)城北路235號1號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種能夠快速驟回的逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管RC?IGBT及其實現(xiàn)方法，其包括：主區(qū)域，其包括非有源區(qū)、IGBT部分以及FWD部分，非有源區(qū)包括柵極流道與邊緣終端；主區(qū)域的每一塊中多個IGBT部分以及FWD部分間隔分布，各塊之間設(shè)置有第一柵極流道，各塊外圍設(shè)置有第二柵極流道，第一柵極流道與第二柵極流道貫通，第二柵極流道外圍包設(shè)有邊緣終端；非有源區(qū)產(chǎn)生電流密度大于預(yù)設(shè)閾值的電子流；主區(qū)域的下方設(shè)置有n?型漂移區(qū)，n?型漂移區(qū)的下方設(shè)置n+型緩沖區(qū)，n+型緩沖區(qū)的下方設(shè)置p+型集電極區(qū)及n+陰極區(qū)，n+陰極和p+型集電極區(qū)域通過背面接觸短接，p+型集電極區(qū)的下方連接集電極。本發(fā)明能改善驟回性能，實現(xiàn)RC?IGBT的Vce快速恢復(fù)。??