一種具有高抗閂鎖能力的IEGT器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110518236.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113314588A 公開（公告）日 2021-08-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN113314588A 申請(qǐng)公布日 2021-08-27
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳磊;李嬌;陸界江 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海睿驅(qū)微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張歡歡
地址 201899上海市嘉定區(qū)環(huán)城路2222號(hào)1幢J
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有高抗閂鎖能力的IEGT器件，在N?型漂移層的上方間隔設(shè)置P型基區(qū)和柵極，柵極之間設(shè)置所述浮動(dòng)P區(qū)，P溝道MOSFET管設(shè)置在浮動(dòng)P區(qū)，除設(shè)置有P溝道MOSFET管的P型基區(qū)以外的其它P型基區(qū)表面一側(cè)設(shè)有P+型基區(qū)、另一側(cè)設(shè)有N+型發(fā)射區(qū)，N+型發(fā)射區(qū)上方設(shè)有與n+型發(fā)射區(qū)連接的發(fā)射極；N?型漂移層的下方設(shè)置N型緩沖區(qū)，N型緩沖區(qū)的下方設(shè)置所述P?型集電極區(qū)，P?型集電極區(qū)的下方連接集電極。本發(fā)明通過在浮動(dòng)P區(qū)增加P溝道MOSFET作為空穴分流器，旁路空穴電流以降低高空穴密度，提高抗閂鎖能力。