一種具有過流限制功能的多晶硅及其構(gòu)建方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811595361.X 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN111370478A 公開(公告)日 2020-07-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN111370478A 申請(qǐng)公布日 2020-07-03
分類號(hào) H01L29/739;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 櫻井建彌;吳磊 申請(qǐng)(專利權(quán))人 上海睿驅(qū)微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 劉元霞
地址 201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號(hào)3號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有過流限制功能的多晶硅,所述多晶硅包括:主絕緣柵雙極型晶體管IGBT區(qū)域、分離區(qū)域及感測(cè)IGBT區(qū)域,所述分離區(qū)域位于所述主IGBT區(qū)域與所述感測(cè)IGBT區(qū)域之間,所述分離區(qū)域設(shè)置用于對(duì)IGBT進(jìn)行過流限制的過流限制區(qū)域;所述過流限制區(qū)域在SiO2上設(shè)置有用于聯(lián)合實(shí)現(xiàn)過流限制功能的齊納二極管、雙極過流限制三級(jí)管、第一溫度補(bǔ)償二極管、第二溫度補(bǔ)償二極管、第一檢測(cè)電阻以及第二檢測(cè)電阻;主IGBT區(qū)域的上方設(shè)置有發(fā)射極;主IGBT區(qū)域、分離區(qū)域及感測(cè)IGBT區(qū)域的下方設(shè)置有n?型漂移區(qū),所述n?型漂移區(qū)的下方設(shè)置n+型緩沖區(qū),所述n+型緩沖區(qū)的下方設(shè)置p+型集電極區(qū),p+型集電極區(qū)的下方連接所述集電極。