一種增強(qiáng)型溝槽柵IGBT及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110509313.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113314587A 公開（公告）日 2021-08-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN113314587A 申請(qǐng)公布日 2021-08-27
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳磊;陸界江;桜井建彌;李嬌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海睿驅(qū)微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 朱遠(yuǎn)楓
地址 201899 上海市嘉定區(qū)環(huán)城路2222號(hào)1幢J
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種增強(qiáng)型溝槽柵IGBT及其形成方法，設(shè)置發(fā)射極、N+發(fā)射區(qū)、P基區(qū)、溝槽柵、虛擬多晶硅、浮動(dòng)P區(qū)、n?截止區(qū)和n?漂移區(qū)；虛擬多晶硅的兩側(cè)分別與溝槽柵之間設(shè)置浮動(dòng)P區(qū)，溝槽柵之間除設(shè)置虛擬多晶硅和浮動(dòng)P區(qū)之外的區(qū)域設(shè)置P基區(qū)，P基區(qū)表面兩側(cè)設(shè)置N+發(fā)射區(qū)，所述P基區(qū)和浮動(dòng)P區(qū)均設(shè)置于n?漂移區(qū)的上方；n?漂移區(qū)的下方設(shè)置n?截止區(qū)，n?型截止區(qū)的下方設(shè)置p型集電極區(qū)，p型集電極區(qū)的下方連接集電極。由于虛擬溝道中的p區(qū)與多晶硅和外發(fā)射極電極之間的連接以及獨(dú)特的柵結(jié)構(gòu)的引入，使得從浮動(dòng)p區(qū)到有源柵電極的位移電流較小，從而獲得良好的di/dt可控性。