具有空穴載流路徑的IEGT及其構(gòu)建方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811595355.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111370476A 公開（公告）日 2020-07-03
申請公布號 CN111370476A 申請公布日 2020-07-03
分類號 H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 櫻井建彌;吳磊 申請（專利權(quán)）人 上海睿驅(qū)微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京知元同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉元霞
地址 201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號3號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有空穴載流路徑的IEGT，該具有空穴載流路徑的IEGT包括：發(fā)射極、n+型發(fā)射區(qū)、柵極、基極區(qū)、p型MOSFET管、n?型漂移區(qū)、n+型緩沖區(qū)、p+型集電極區(qū)、以及集電極；n?型漂移區(qū)的上方間隔設(shè)置基極區(qū)和柵極，p型MOSFET管設(shè)置在基極區(qū)，p型MOSFET管在IEGT的主溝槽柵極的導(dǎo)通時間期間截止，并且在主溝槽柵極的截止時間期間導(dǎo)通；除設(shè)置有p型MOSFET管的基極區(qū)以外的其它基極區(qū)表面的兩側(cè)設(shè)有n+型發(fā)射區(qū)，n+型發(fā)射區(qū)上方設(shè)有與n+型發(fā)射區(qū)連接的發(fā)射極；n?型漂移區(qū)的下方設(shè)置n+型緩沖區(qū)，n+型緩沖區(qū)的下方設(shè)置p+型集電極區(qū)，p+型集電極區(qū)的下方連接集電極。本發(fā)明具有空穴載流路徑的IEGT的通態(tài)電壓及關(guān)斷損耗均比較低。