MOS柵晶體管及其構(gòu)建方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910059680.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111463269A | 公開（公告）日 | 2020-07-28 |
| 申請公布號 | CN111463269A | 申請公布日 | 2020-07-28 |
| 分類號 | H01L29/739(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 櫻井建彌;吳磊;曹明霞 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海睿驅(qū)微電子科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京知元同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉元霞 |
| 地址 | 201800上海市嘉定區(qū)城北路235號1號樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種MOS柵晶體管及其構(gòu)建方法，其包括：發(fā)射極、多晶硅柵極結(jié)構(gòu)、n型多晶硅層、p基極區(qū)、n+型發(fā)射區(qū)、n?型漂移區(qū)、n型緩沖區(qū)、p型集電極區(qū)、以及集電極；n?型漂移區(qū)的上方設(shè)置n型多晶硅層，n型多晶硅層中形成有p基極區(qū)以及n+型發(fā)射區(qū)；n型多晶硅層上設(shè)置有多晶硅柵極結(jié)構(gòu)，其包括從下而上設(shè)置柵氧化層、多晶硅柵膜以及含硼及磷的硅化物，含硼及磷的硅化物上方設(shè)置有發(fā)射極；p基極區(qū)以及n+型發(fā)射區(qū)上方設(shè)置有接觸孔；n?型漂移區(qū)的下方設(shè)置n+型緩沖區(qū)，n+型緩沖區(qū)的下方依次設(shè)置p型集電極區(qū)及集電極。本發(fā)明的MOS柵晶體管能兼顧通態(tài)電壓及關(guān)斷時間兩個參數(shù)的取值，實現(xiàn)比較理想的載流子分布。?? |
