具有過(guò)流限制功能的絕緣柵雙極型晶體管及其構(gòu)建方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811595360.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111370477A 公開(kāi)（公告）日 2020-07-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN111370477A 申請(qǐng)公布日 2020-07-03
分類號(hào) H01L29/739;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 櫻井建彌;吳磊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海睿驅(qū)微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉元霞
地址 201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號(hào)3號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有過(guò)流限制功能的絕緣柵雙極型晶體管，所述絕緣柵雙極型晶體管IGBT包括：主IGBT區(qū)域、分離區(qū)域及感測(cè)IGBT區(qū)域，所述分離區(qū)域位于所述主IGBT區(qū)域與所述感測(cè)IGBT區(qū)域之間，所述主IGBT間隔及感測(cè)IGBT區(qū)域均設(shè)置有多個(gè)柵極，所述分離區(qū)域設(shè)置用于對(duì)IGBT進(jìn)行過(guò)流限制的過(guò)流限制區(qū)域；所述分離區(qū)域中未設(shè)置任何溝槽柵極；主IGBT區(qū)域的上方設(shè)置有發(fā)射極；主IGBT區(qū)域、分離區(qū)域及感測(cè)IGBT區(qū)域的下方設(shè)置有n?型漂移區(qū)，所述n?型漂移區(qū)的下方設(shè)置n+型緩沖區(qū)，所述n+型緩沖區(qū)的下方設(shè)置p+型集電極區(qū)，p+型集電極區(qū)的下方連接所述集電極。本發(fā)明具有提升耐受時(shí)間的能力。