LDMOS開(kāi)關(guān)器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111679957.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114334660A 公開(kāi)（公告）日 2022-04-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN114334660A 申請(qǐng)公布日 2022-04-12
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李榮偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州龍馳半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 王曉玲
地址 215009 江蘇省蘇州市高新區(qū)火炬路52號(hào)46幢131室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝薒DMOS開(kāi)關(guān)器件及其制作方法。該制作方法，包括以下步驟：在半絕緣SiC基底的第一表面形成柵氧化層和柵極，柵極位于柵氧化層遠(yuǎn)離第一表面的一側(cè)；在半絕緣SiC基底中形成漂移區(qū)，并在柵極兩側(cè)的半絕緣SiC基底中形成源/漏區(qū)，以使源/漏區(qū)中的漏區(qū)位于漂移區(qū)中。本申請(qǐng)的上述方法在半絕緣SiC半絕緣襯底上直接制作RF LDMOS開(kāi)關(guān)器件，可以通過(guò)SiC氧化和離子注入實(shí)現(xiàn)溝道增強(qiáng)型RF LDMOSFET的工藝設(shè)計(jì)，該工藝充分發(fā)揮了SiC的高熱導(dǎo)率屬性，SiC高的鍵能使器件有更高的工作電壓，能夠在高溫高壓環(huán)境中仍然實(shí)現(xiàn)高輸出功率和效率。