LDMOS開關器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111679957.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114334660A 公開（公告）日 2022-04-12
申請公布號 CN114334660A 申請公布日 2022-04-12
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李榮偉 申請（專利權）人 蘇州龍馳半導體科技有限公司
代理機構 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 代理人 王曉玲
地址 215009 江蘇省蘇州市高新區(qū)火炬路52號46幢131室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝薒DMOS開關器件及其制作方法。該制作方法，包括以下步驟：在半絕緣SiC基底的第一表面形成柵氧化層和柵極，柵極位于柵氧化層遠離第一表面的一側；在半絕緣SiC基底中形成漂移區(qū)，并在柵極兩側的半絕緣SiC基底中形成源/漏區(qū)，以使源/漏區(qū)中的漏區(qū)位于漂移區(qū)中。本申請的上述方法在半絕緣SiC半絕緣襯底上直接制作RF LDMOS開關器件，可以通過SiC氧化和離子注入實現(xiàn)溝道增強型RF LDMOSFET的工藝設計，該工藝充分發(fā)揮了SiC的高熱導率屬性，SiC高的鍵能使器件有更高的工作電壓，能夠在高溫高壓環(huán)境中仍然實現(xiàn)高輸出功率和效率。